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SiC MOSFET 替代 IGBT ,這是必然走向嗎?

發(fā)布時間:

2025-01-15


摘要

碳化硅MOSFET以其高開關速度、高溫工作能力和低導通電阻等優(yōu)勢,在電動汽車、太陽能逆變器等領域替代IGBT。盡管IGBT在成本和成熟度上仍有優(yōu)勢,但碳化硅MOSFET有望成為下一代主流功率器件。

 

隨著電力電子技術的不斷進步,功率器件的選擇對于系統(tǒng)效率、可靠性和成本至關重要。在眾多功率器件中,碳化硅(SiC)MOSFET和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是兩種備受關注的技術。本文將詳細分析碳化硅MOSFET是否能夠取代IGBT,探討兩者的性能特點、應用場景以及未來的發(fā)展趨勢。

一、SiC MOSFET的技術優(yōu)勢

  1. 高開關速度:SiC材料的電子遷移率高于硅,使得SiC MOSFET的開關速度更快。這意味著在相同的頻率下,SiC MOSFET能夠更高效地切換電流,從而降低開關損耗。高頻工作還可以減小電源系統(tǒng)中電容、電感或變壓器的體積,降低電源成本,實現(xiàn)電源的小型化和美觀化。

  2. 高溫工作能力:SiC的熱導率高于硅,允許SiC MOSFET在更高的溫度下穩(wěn)定工作。這提高了系統(tǒng)的可靠性,并減少了散熱系統(tǒng)的需求。

  3. 低導通電阻:SiC MOSFET的導通電阻較低,有助于降低導通損耗。在高壓器件中,漂移區(qū)的導通電阻在器件總導通電阻中占比很大,而SiC MOSFET不需要很厚的漂移區(qū)厚度就可以實現(xiàn)高耐壓,從而顯著降低漂移區(qū)的導通電阻。

  4. 高電壓耐受性:SiC材料能夠承受更高的電壓,因此SiC MOSFET適用于高壓應用。

二、SiC MOSFET在特定領域的應用優(yōu)勢

  1. 電動汽車:在電動汽車的牽引逆變器中,SiC MOSFET因其高開關速度和低導通損耗而被廣泛應用。這些特性有助于提高電機驅(qū)動系統(tǒng)的效率,并延長電池續(xù)航里程。此外,SiC MOSFET還能減小逆變器的體積和重量,降低系統(tǒng)成本。

  2. 太陽能逆變器:在太陽能逆變器中,SiC MOSFET同樣因其高開關速度和低導通損耗而受到青睞。這些特性有助于提高逆變器的轉(zhuǎn)換效率,并降低系統(tǒng)的熱管理需求。

  3. 逆變焊機:SiC MOSFET在逆變焊機中的應用也日益廣泛。其高頻開關特性使得逆變焊機可以實現(xiàn)更小尺寸的變壓器和濾波電感,降低了系統(tǒng)的成本和體積。同時,SiC MOSFET的高耐溫能力也減少了散熱器的設計要求,進一步降低了設備體積和重量。

三、SiC MOSFET應用示例
     3.1車載充電器(OBC)/DC-DC
     SiC MOSFET為車載充電器帶來了哪些優(yōu)勢?
  • 提高轉(zhuǎn)換效率
  • 提高功率密度
  • 電能雙向傳輸
  • 800V耐高壓

                                                            車載充電器典型電路

     

    3.2 車載HVAC

    SiC MOSFET為車載HVAC帶來了哪些優(yōu)勢?

     

    降低成本

    降低散熱難度

    提高開關頻率

    提高可靠性

    800V耐高壓

                           車載HVAC典型電路

     

     

     

    3.3 光伏/儲能
    SiC MOSFET為光伏/儲能帶來了哪些優(yōu)勢?

     

    降低成本
    提高轉(zhuǎn)換效率
    提高可靠性

    1000V耐高壓

    四、IGBT的當前地位與局限

    IGBT是一種結(jié)合了MOSFET和雙極晶體管優(yōu)點的復合型器件,具有高電壓耐受性、低導通壓降、適中的開關速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點。然而,隨著應用需求的不斷提高,IGBT在某些方面的局限性也日益凸顯。例如,在高頻應用中,IGBT的開關速度相對較慢,導致開關損耗較大;在高溫環(huán)境中,IGBT的性能可能會受到一定影響。

    五、SiC MOSFET替代IGBT的必然趨勢與面臨的挑戰(zhàn)

    必然趨勢:隨著電力電子技術的不斷發(fā)展,SiC MOSFET在性能和經(jīng)濟性方面逐漸優(yōu)于傳統(tǒng)的IGBT。特別是在電動汽車、太陽能逆變器和逆變焊機等高效率、高功率轉(zhuǎn)換設備中,SiC MOSFET的應用優(yōu)勢更加明顯。因此,SiC MOSFET替代IGBT成為必然趨勢。

    面臨的挑戰(zhàn):盡管SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢,但其市場接受度仍受成本和供應鏈穩(wěn)定性的影響。目前,SiC MOSFET的單顆元件成本相對較高,但隨著技術的進步和規(guī)?;a(chǎn),其成本有望逐漸降低。此外,SiC MOSFET的制造工藝和配套材料也需要不斷改進和完善,以滿足更廣泛的應用需求。

     

     

     

     

關鍵詞:

碳化硅二極管,IGBT,碳化硅MOSFET

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